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20nm-4Gb-DDR3-03Samsung est une fois de plus le premier dans quelque chose. Cette fois, la société sud-coréenne a annoncé avoir réussi à créer la RAM la plus rapide au monde. La mémoire de type DDR5 utilise l'interface HBM2 et est capable d'une vitesse de transfert allant jusqu'à 256 Go/s, ce qui la rend jusqu'à 7 fois plus rapide que les précédents modules DDR5 utilisés dans les cartes graphiques. La société a annoncé qu'elle fournirait sa mémoire DDR4 ultra-rapide de 5 Go aux fabricants de serveurs d'entreprise, ainsi qu'aux fabricants de cartes graphiques, nVidia et AMD.

Les modules de mémoire pour cartes graphiques seront fabriqués selon le processus de fabrication 20 nm, ce qui leur permettra de consommer moins que les mémoires actuelles tout en offrant des performances plus élevées. Actuellement, des puces de 4 Go composées de quatre couches avec des cœurs de 8 gigabits sont en cours de production, mais elles entreront bientôt en production de mémoire de 8 Go avec huit couches.

Samsung 20 nm 8 Go DDR4

 

*Source: SamMobile

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