Bien que Samsung n'ait pas encore introduit Galaxy S9 et on commence déjà à spéculer sur Galaxy S10. Apparemment, le produit phare que le géant sud-coréen présentera l'année prochaine devrait avoir une puce plus puissante que celle de cette année. Galaxy S9. Le cœur de la version internationale Galaxy Le S9 est un Exynos 9810 et la version américaine est un Snapdragon 845. Samsung a dû s'en tenir au processus 10 nm, mais des puces 7 nm devraient apparaître dans les smartphones dès l'année prochaine, c'est-à-dire Galaxy S10.
Hier, Qualcomm a dévoilé le Snapdragon X24, un nouveau modem LTE pour smartphones qui promet des vitesses de téléchargement théoriques allant jusqu'à 2 Gbps. Qualcomm affirme qu'il s'agit du premier modem LTE de catégorie 20 à prendre en charge des vitesses aussi élevées. Le Snapdragon X24 deviendra ainsi le premier modem LTE construit sur l'architecture 7 nm.
Qualcomm a déclaré que le modem arriverait sur les appareils commerciaux plus tard cette année, il ne fera donc pas ses débuts avec la puce Snapdragon 845 qui alimente la version américaine. Galaxy S9. Snapdragon 845 dispose d'un modem Snapdragon X20 LTE.
Bien que Qualcomm n'ait pas confirmé que le prochain processeur, à savoir le Snapdragon 855, serait fabriqué selon le processus 7 nm. Il ne s'agit que de spéculations, basées sur le profil LinkedIn d'un des employés du fournisseur.
Le Snapdragon 855, qui embarquerait le modem Snapdragon X24, deviendrait ainsi le premier processeur mobile 7 nm au monde. ET Galaxy Le S10 deviendrait le premier smartphone à disposer d’un tel processeur.
Source: SamMobile
