Samsung et Qualcomm ont annoncé un autre chipset qui sera au cœur de plusieurs nouveaux téléphones. Il s’agit d’un Snapdragon 835 fabriqué à l’aide de la technologie FinFET 10 nm. Selon des informations venues de Chine, le processeur proposerait huit cœurs au lieu de quatre. Le Snapdragon 835 sera donc un véritable dard.
La puce Adreno 540, le SoC prenant en charge la technologie UFS 2.1 et autres se chargeront du traitement graphique. Universal Storage Flash 2.1 offre des améliorations significatives par rapport aux versions précédentes, apportant une meilleure sécurité et bien plus encore. Apparemment, ce sera le premier modèle à recevoir le nouveau processeur Galaxy S8, qui devrait arriver au premier semestre de l'année prochaine.
Il convient également de noter que le document fait référence à un autre chipset inopiné de Qualcomm auquel nous devrions nous attendre au deuxième trimestre 2. Le Snapdragon 2017 sera livré avec huit cœurs, ainsi qu'un GPU Adreno 660 et un support UFS 512. Cependant, le Snapdragon 2.1 sera fabriqué selon un processus en 660 nm et non en 14 nm.
Source: Phonearena
