Prague, le 20 mars 2015 - Samsung Electronics Co., Ltd., leader mondial en technologie de mémoire avancée, présente un stockage NAND 128 bits hautes performances de 3 Go pour les appareils mobiles, basé sur la technologie Embedded MultiMedia.Card (eMMC) 5.0. Les produits phares parmi les smartphones passent déjà à une mémoire de stockage de 128 Go basée sur les normes Universal Flash Storage (UFS) 2.0 ou EMMC 5.1. De même, même les smartphones de milieu de gamme pourront désormais augmenter leur capacité à 128 GB grâce au nouveau référentiel Samsung 3 bits NAND eMMC 5.0. Cette puce mémoire a la plus grande capacité dans le cadre de la norme eMMC 5.0.
« Avec le lancement de notre série eMMC 3 5.0 bits basée sur NAND, nous prévoyons d'ouvrir la voie dans l'expansion du stockage mobile haute capacité. Nous continuons à développer notre offre de mémoire mobile avec des performances améliorées et une capacité plus élevée pour répondre à la demande croissante des clients du secteur de la téléphonie mobile. dit le Dr. Jung-Bae Lee, vice-président senior de l'équipe de planification des produits de mémoire et d'ingénierie des applications chez Samsung Electronics.
Lecture séquentielle les données du nouveau stockage eMMC 128 de 5.0 Go de Samsung fonctionnent à grande vitesse 260 Mo / s. Il s'agit des mêmes performances que la mémoire MLC eMMC 5.1 basée sur NAND. Performances de lecture et d'écriture aléatoires je 6000 IOPS, respectivement. 5000 IOPS, qui est suffisamment rapide pour prendre en charge les vidéos haute définition et les fonctions multitâches avancées. Par rapport aux cartes mémoire externes, ces vitesses de lecture et d'écriture sont d'environ 4 fois a 10 fois plus élevé.
La nouvelle série eMMC 3 5.0 bits étend l'activité de Samsung, de la fourniture de SSD pour centres de données, serveurs et ordinateurs, à l'ensemble du marché du stockage mobile. Samsung continuera à introduire des mémoires Flash NAND 3 bits grâce au développement de solutions hautes performances et haute capacité, et continuera à renforcer la compétitivité de son activité de technologie de mémoire.
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