Samsung n'a commencé que récemment à produire en masse des processeurs utilisant le processus FinFET 14 nm, mais il prépare déjà l'avenir et commence à expérimenter la technologie 10 nm, et comme il le dit lui-même, même la technologie 5 nm ne constitue pas un problème majeur. pour ça. L'entreprise a révélé ces faits intéressants lors de la conférence ISSCC 2015, où elle a présenté des prototypes de processeurs fabriqués à l'aide de la technologie 10 nm, qu'elle utilisera dans les prochaines années. Dans le même temps, Kinam Kim a confirmé que Samsung produirait à l'avenir des processeurs en utilisant un processus qui est déjà à la limite de la loi de Moore.
Mais il semble que rien n’empêche Samsung d’aller au-delà de la limite fixée par Gordon Moore et de fabriquer des puces encore plus petites et plus économiques. La société a laissé entendre qu’elle pourrait à l’avenir commencer à produire des processeurs utilisant le processus de fabrication de 3,25 nm. Mais la question reste de savoir quel matériau il utilisera, puisqu'Intel a annoncé qu'il n'était plus possible d'utiliser du silicium en dessous de la limite des 7 nm. C'est pourquoi il envisage de produire des puces à l'aide d'Indium-Gallium-Arsenide, mieux connu sous son abréviation InGaAs. Cependant, il peut toujours utiliser du silicium avec le processus FinFET 14 nm actuel. Ce dernier est utilisé d'une part dans la production de pré chips Galaxy S6 et l'utilisera également pour produire des pré-puces iPhone 6s et Qualcomm. Il prévoit d'utiliser des processeurs fabriqués à l'aide du processus 10 nm dans les produits IoT, en raison d'une consommation moindre de puces. Cependant, ces appareils apparaîtront au tournant de 2016 et 2017.
var sklikData = { elm : "sklikReklama_47926", zoneId : 47926, w : 600, h : 190 };
var sklikData = { elm : "sklikReklama_47925", zoneId : 47925, w : 600, h : 190 };
*Source: Nikkeibp.co.jp; ZDNet
