Ces jours-ci, Samsung s'apprête à démarrer la production d'une mémoire Flash NAND UFS 2.0 ultra-rapide qu'il prévoit d'utiliser dans son futur produit phare, Samsung. Galaxy S6. Jusqu'à présent, on utilisait la technologie de mémoire Flash eMMC NAND, capable d'atteindre une vitesse de transfert de 400 Mo/s. Cependant, grâce à la nouvelle technologie UFS de deuxième génération, la mémoire sera dans les téléphones Galaxy S6 capable d'atteindre une vitesse de transfert allant jusqu'à 1.2 Go/s, soit une vitesse trois fois supérieure.
Cela se reflétera bien entendu dans le transfert de fichiers volumineux, comme par exemple le transfert de vidéos 4K via une connexion LTE-A. De plus, par rapport à l'eMMC 5.0, la technologie offre une consommation jusqu'à 50 % inférieure, ce qui a un effet positif sur la durée de vie de la batterie du nouveau téléphone. Samsung prévoit également d'utiliser cette technologie dans ses cartes SD et microSD et y travaille apparemment déjà dur. Le principal rival chinois de Samsung, Xiaomi, prévoit également d'utiliser la mémoire Flash UFS, et il semble que Toshima, Hynix et Micron s'y intéresseront également. De plus, grâce à la technologie UFS, Samsung sera obligé d'utiliser le port microUSB 3.0 s'il souhaite utiliser la vitesse de transfert lors du transfert de fichiers d'un ordinateur vers un téléphone mobile et vice versa.
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*Source: ETNews
