Samsung a commencé aujourd'hui la production en série de ses nouveaux modules DRAM DDR3 en utilisant un processus de fabrication de 20 nanomètres. Ces nouveaux modules ont une capacité de 4 Go, soit 512 Mo. Cependant, la mémoire disponible des modules individuels n'est pas leur caractéristique principale. Le progrès réside précisément dans l'utilisation d'un nouveau procédé de production, qui entraîne une consommation d'énergie jusqu'à 25 % inférieure à celle de l'ancien procédé de 25 nanomètres.
Le passage à la technologie 20 nm est également la dernière étape qui sépare l'entreprise du démarrage de la production de modules de mémoire utilisant le processus 10 nm. La technologie actuellement utilisée pour les nouveaux modules est également la plus avancée du marché et peut être utilisée non seulement avec des ordinateurs, mais également avec des appareils mobiles. Pour les ordinateurs, cela signifie que Samsung est désormais capable de créer des puces de même taille, mais avec une mémoire de fonctionnement nettement plus grande. Samsung a également dû modifier sa technologie existante pour pouvoir réduire la taille des puces tout en conservant la méthode de fabrication actuelle.
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